MRF6VP21KHR6

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Vds - 漏源击穿电压：

110 V

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

NI-1230

打包：

卷轴

配置：

双公共源

高度：

5.08 mm

长度：

41.28 mm

系列：

MRF6VP21KH

类型：

射频功率MOSFET

宽度：

10.29 mm

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

频道模式：

增强

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

150

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 6 V, 10 V

单位重量：

0.464036 oz

Tags

MRF6VP2, MRF6VP, MRF6V, MRF6, MRF