UF3C065080K4S

产品属性

属性值

制造商：

联合碳化硅

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

碳化硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

31 A

Rds On - 漏源电阻：

100 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

51 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

190 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

管子

系列：

UF3C

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

联合碳化硅

秋季时间：

8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

20 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

37 ns

典型的开启延迟时间：

21 ns

Tags

UF3C0, UF3C, UF3