IXFN62N80Q3

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

底盘安装

包装/案例：

SOT-227-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

800 V

Id - 连续漏极电流：

49 A

Rds On - 漏源电阻：

140 mOhms

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

270 nC

Pd - 功耗：

960 W

配置：

单身的

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

系列：

IXFN62N80

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

IXYS

产品类别：

MOSFET

上升时间：

300 ns

出厂包装数量：

10

子类别：

MOSFET

单位重量：

1.058219 oz

Tags

IXFN6, IXFN, IXF