APTM10HM19FT3G

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

分立半导体模块

RoHS：

Y

产品：

功率 MOSFET 模块

Vgs - 栅源电压：

30 V

安装方式：

螺丝安装

包装/案例：

SP-32

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

管子

配置：

单身的

高度：

11.5 mm

长度：

73.4 mm

宽度：

40.8 mm

品牌：

微芯片/Microsemi

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

秋季时间：

125 ns

Id - 连续漏极电流：

70 A

Pd - 功耗：

208 W

产品类别：

分立半导体模块

Rds On - 漏源电阻：

19 mOhms

上升时间：

70 ns

出厂包装数量：

1

子类别：

分立半导体模块

商品名：

功率MOS V

典型关断延迟时间：

95 ns

典型的开启延迟时间：

35 ns

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Tags

APTM10H, APTM10, APTM1, APTM, APT