IRF135SA204

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-7

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

135 V

Id - 连续漏极电流：

160 A

Rds On - 漏源电阻：

4.7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

210 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

500 W

配置：

单身的

商品名：

强IRFET

打包：

卷轴

高度：

4.4 mm

长度：

10 mm

产品：

MOSFET

类型：

N 沟道 MOSFET

宽度：

9.25 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

270 S

秋季时间：

56 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

56 ns

出厂包装数量：

800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

140 ns

典型的开启延迟时间：

20 ns

第 # 部分别名：

SP001564264

单位重量：

0.056438 oz

Tags

IRF135S, IRF135, IRF13, IRF1, IRF