FDN86501LZ

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SSOT-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

2.6 A

Rds On - 漏源电阻：

198 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

3.8 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

动力战壕

打包：

卷轴

高度：

1.12 mm

长度：

2.9 mm

系列：

FDN86501LZ

晶体管类型：

1 N-channel

宽度：

1.4 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

1.2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

1.2 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

9.6 ns

典型的开启延迟时间：

4.4 ns

单位重量：

0.001058 oz

Tags

FDN8, FDN