RQ3E120ATTB

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

HSMT-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

39 V

Id - 连续漏极电流：

12 A

Rds On - 漏源电阻：

61 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

62 nC

Pd - 功耗：

2 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

高度：

0.85 mm

长度：

3 mm

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

2.4 mm

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

95 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

30 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

140 ns

典型的开启延迟时间：

20 ns

第 # 部分别名：

RQ3E120AT

Tags

RQ3E120AT, RQ3E120A, RQ3E12, RQ3E1, RQ3E, RQ3