TSM2537CQ RFG

产品属性

属性值

制造商：

台积电

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TDFN22-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

11.6 A, 9 A

Rds On - 漏源电阻：

17 mOhms, 48 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV, 450 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

9.1 nC, 9.8 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

6.25 W, 6.25 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET

品牌：

台积电

正向跨导 - 最小值：

28 S, 15 S

秋季时间：

30 ns, 68 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

41 ns, 34 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

25 ns, 69 ns

典型的开启延迟时间：

8 ns, 10 ns

Tags

TSM25, TSM2, TSM