NTLJD2104PTAG

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

WDFN-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

12 V

Id - 连续漏极电流：

4.3 A

Rds On - 漏源电阻：

90 mOhms

Vgs - 栅源电压：

8 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.3 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.75 mm

长度：

2 mm

晶体管类型：

2 P-Channel

宽度：

2 mm

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

16.2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

12.3 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

14 ns

典型的开启延迟时间：

6.6 ns

Tags

NTLJD2, NTLJD, NTLJ, NTL