PMZ350UPEYL

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN-1006-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

1.4 A

Rds On - 漏源电阻：

940 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

450 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

1.3 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

360 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.5 mm

长度：

1.02 mm

产品：

MOSFET

类型：

沟槽 MOSFET

宽度：

0.62 mm

品牌：

Nexperia

正向跨导 - 最小值：

1.4 S

秋季时间：

9 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5 ns

出厂包装数量：

10000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

26 ns

典型的开启延迟时间：

4 ns

单位重量：

0.000028 oz

Tags

PMZ35, PMZ3, PMZ