SQS415ENW-T1_GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PowerPAK-1212-8W

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

16 A

Rds On - 漏源电阻：

16.1 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

82 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

62.5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 P-Channel TrenchFET Power MOSFET

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

30 S

秋季时间：

16 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3.6 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

64 ns

典型的开启延迟时间：

11.8 ns

Tags

SQS41, SQS4, SQS