BSZ009NE2LS5ATMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSDSON-8 FL

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

40 A

Rds On - 漏源电阻：

1.2 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

16 V

Qg - 门电荷：

92 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

69 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

优化MOS

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

17 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

9 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

31 ns

典型的开启延迟时间：

7 ns

第 # 部分别名：

BSZ009NE2LS5 SP002103848

Tags

BSZ0, BSZ