IPB083N10N3 G

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

80 A

Rds On - 漏源电阻：

7.2 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

55 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

125 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

4.4 mm

长度：

10 mm

系列：

OptiMOS 3

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

9.25 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

45 S

秋季时间：

8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

42 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

31 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

第 # 部分别名：

IPB083N10N3GATMA1 IPB83N1N3GXT SP000458812

单位重量：

0.068654 oz

Tags

IPB083N10N3G, IPB083N10, IPB083, IPB08, IPB0, IPB