IRF8252PBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

25 A

Rds On - 漏源电阻：

3.7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.35 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

35 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

HEXFET 功率 MOSFET

宽度：

3.9 mm

品牌：

英飞凌/红外

正向跨导 - 最小值：

89 S

秋季时间：

12 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

32 ns

出厂包装数量：

95

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

19 ns

典型的开启延迟时间：

23 ns

第 # 部分别名：

SP001554466

单位重量：

0.019048 oz

Tags

IRF825, IRF82, IRF8, IRF