BSO080P03NS3E G

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

14.8 A

Rds On - 漏源电阻：

8 mOhms

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

- 61 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

系列：

OptiMOS 3P3

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

3.9 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

44 S

秋季时间：

19 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

47 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

64 ns

典型的开启延迟时间：

16 ns

第 # 部分别名：

BSO080P03NS3EGXUMA1 BSO8P3NS3EGXT SP000472992

单位重量：

0.019048 oz

Tags

BSO080P03NS3EG, BSO080P03NS3E, BSO080P03NS3, BSO080P03N, BSO080P0, BSO080, BSO08, BSO0, BSO