SIHB180N60E-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

19 A

Rds On - 漏源电阻：

180 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

33 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

156 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

系列：

E

晶体管类型：

1 N-Channel E-Series Power MOSFET

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

5.3 S

秋季时间：

23 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

49 ns

出厂包装数量：

1

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

22 ns

典型的开启延迟时间：

14 ns

Tags

SIHB1, SIHB, SIH