FDMS86200E

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PQFN-56

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

150 V

Id - 连续漏极电流：

35 A

Rds On - 漏源电阻：

18 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

33 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

104 W

配置：

单三源四漏

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel PowerTRENCH MOSFET

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

33 S

秋季时间：

5.8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7.9 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

27 ns

典型的开启延迟时间：

13 ns

Tags

FDMS86200, FDMS8620, FDMS862, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM