FDMA86108LZ

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

MicroFET-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

2.2 A

Rds On - 漏源电阻：

446 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

2.1 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.4 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

动力战壕

打包：

卷轴

高度：

0.75 mm

长度：

2 mm

系列：

FDMA86108LZ

宽度：

2 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

1.7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

1.7 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

7.6 ns

典型的开启延迟时间：

4.2 ns

单位重量：

0.001058 oz

Tags

FDMA86, FDMA8, FDMA, FDM