BSC084P03NS3E G

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TDSON-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

78.6 A

Rds On - 漏源电阻：

8.4 mOhms

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

43.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

69 W

配置：

单身的

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

1.27 mm

长度：

5.9 mm

系列：

OptiMOS P3

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

5.15 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

8.1 nS

产品类别：

MOSFET

上升时间：

133.5 nS

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

33.3 nS

第 # 部分别名：

BSC084P03NS3EGATMA1 BSC84P3NS3EGXT SP000473012

Tags

BSC084P03NS3E, BSC084, BSC08, BSC0, BSC