DMG4435SSS-13

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

7.5 A

Rds On - 漏源电阻：

20 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

35.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

产品：

MOSFET 小信号

系列：

DMG4435

晶体管类型：

P-通道

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

22 S

秋季时间：

22.8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

12.7 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

44.9 ns

典型的开启延迟时间：

8.6 ns

单位重量：

0.002610 oz

Tags

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