NTE4153NT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SC-89-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

915 mA

Rds On - 漏源电阻：

230 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

450 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

1.82 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

300 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.7 mm

长度：

1.6 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

NTE4153N

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

0.85 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

1.4 S

秋季时间：

7.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4.4 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

25 ns

典型的开启延迟时间：

3.7 ns

单位重量：

0.001058 oz

Tags

NTE4153NT, NTE4153, NTE415, NTE41, NTE4, NTE