RQ6E030ATTCR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-457-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

3 A

Rds On - 漏源电阻：

70 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

5.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.25 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

5.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8.5 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

22 ns

典型的开启延迟时间：

6.5 ns

第 # 部分别名：

RQ6E030AT

Tags

RQ6E030, RQ6E03, RQ6E, RQ6