EFC3J018NUZTDG

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

WLCSP-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

23 A

Rds On - 漏源电阻：

4.7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

75 nC

最低工作温度：

-

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

双重的

频道模式：

消耗

打包：

卷轴

系列：

EFC3J018NUZ

晶体管类型：

双 N 通道

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

2800 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

890 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

4100 ns

典型的开启延迟时间：

280 ns

Tags

EFC3, EFC