APT10035JLL

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

底盘安装

包装/案例：

SOT-227-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1 kV

Id - 连续漏极电流：

25 A

Rds On - 漏源电阻：

350 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

186 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

520 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

8.9 mm

长度：

38 mm

产品：

MOSFET

类型：

功率MOSFET

宽度：

25.2 mm

品牌：

微芯片/Microsemi

秋季时间：

9 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns

出厂包装数量：

1

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

36 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns

单位重量：

1.058219 oz

Tags

APT10035, APT1003, APT100, APT10, APT1, APT