FDMC86106LZ

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

Power-33-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

7.5 A

Rds On - 漏源电阻：

103 mOhms

Qg - 门电荷：

2 nC, 4 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

19 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

高度：

0.8 mm

长度：

3.3 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

3.3 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

11 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.010582 oz

Tags

FDMC8610, FDMC861, FDMC86, FDMC8, FDMC, FDM