SIHP38N60EF-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220AB-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

40 A

Rds On - 漏源电阻：

70 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

189 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

313 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

系列：

英孚

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

13 S

秋季时间：

67 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

63 ns

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

143 ns

典型的开启延迟时间：

35 ns

Tags

SIHP3, SIHP, SIH