CSD87335Q3DT

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

LSON-CLIP-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

25 A

Rds On - 漏源电阻：

2.4 Ohms, 1.2 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V, 750 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

5.7 nC, 10.7 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

6 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

高度：

1.5 mm

长度：

3.3 mm

系列：

CSD87335Q3D

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

3.3 mm

品牌：

德州仪器

正向跨导 - 最小值：

59 S, 107 S

秋季时间：

4 ns, 5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

29 ns, 27 ns

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

13 ns, 17 ns

典型的开启延迟时间：

8 ns, 8 ns

单位重量：

0.002402 oz

Tags

CSD8733, CSD873, CSD87, CSD8, CSD