SI1922EDH-T1-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

1.3 A

Rds On - 漏源电阻：

198 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

400 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

2.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.25 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

高度：

1 mm

长度：

2.1 mm

系列：

SI1

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

1.25 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

4 S

秋季时间：

220 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

80 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

480 ns

典型的开启延迟时间：

43 ns

第 # 部分别名：

SI1988DH-T1-GE3

单位重量：

0.000265 oz

Tags

SI1922EDH-T1, SI1922EDH-T, SI1922, SI192, SI19, SI1