IXFH12N120P

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1.2 kV

Id - 连续漏极电流：

12 A

Rds On - 漏源电阻：

1.35 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

6.5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

103 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

543 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

高度：

21.46 mm

长度：

16.26 mm

系列：

IXFH12N120

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

极性功率 MOSFET HiPerFET

宽度：

5.3 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

5 S

秋季时间：

34 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

25 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

62 ns

典型的开启延迟时间：

34 ns

单位重量：

0.229281 oz

Tags

IXFH12N12, IXFH12N1, IXFH12N, IXFH12, IXFH1, IXFH, IXF