NTHD3100CT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

ChipFET-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

3.9 A, 3.2 A

Rds On - 漏源电阻：

80 mOhms, 110 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

600 mV, 450 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V, - 2.5 V

Qg - 门电荷：

2.3 nC, 7.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

3.1 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.05 mm

长度：

3.05 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

NTHD3100C

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

1.65 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

6 S, 8 S

秋季时间：

1.5 ns, 12.4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10.7 ns, 11.7 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

9.6 ns, 16 ns

典型的开启延迟时间：

6.3 ns, 5.8 ns

单位重量：

0.002998 oz

Tags

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