CSD18563Q5AT

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

VSONP-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

100 A

Rds On - 漏源电阻：

6.8 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.7 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

15 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

116 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

高度：

1 mm

长度：

5.75 mm

系列：

CSD18563Q5A

晶体管类型：

1 N-Channel Power MOSFET

类型：

NexFET 功率 MOSFET

宽度：

4.9 mm

品牌：

德州仪器

开发套件：

TPS40170EVM-597

秋季时间：

1.7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

6.3 ns

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

11.4 ns

典型的开启延迟时间：

3.2 ns

单位重量：

0.003041 oz

Tags

CSD185, CSD18, CSD1, CSD