BSL308CH6327XTSA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSOP-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

2 A, 2.3 A

Rds On - 漏源电阻：

130 mOhms, 93 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V, 1.2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

- 1.2 nC, 650 pC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

0.5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

3 mm

晶体管类型：

1 P-Channel, 1 N-Channel

宽度：

1.5 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

4.6 S, 5 S

秋季时间：

2.8 ns. 1.4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7.7 ns, 2.3 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

15.3 ns, 8.3 ns

典型的开启延迟时间：

5.6 ns, 4.4 ns

第 # 部分别名：

BSL308C H6327 SP001101002

Tags

BSL308CH, BSL308C, BSL308, BSL30, BSL3, BSL