CG2H80120D-GP4

产品属性

属性值

制造商：

马科姆

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

场效应管

技术：

砷化镓

获得：

20.5 dB

Vds - 漏源击穿电压：

8 V

Id - 连续漏极电流：

375 mA

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 85 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PQFN-20

打包：

卷轴

工作频率：

1 GHz

工作温度范围：

- 40 C to + 85 C

产品：

射频结型场效应管

类型：

GaAs MESFET

品牌：

马科姆

NF - 噪声系数：

5.5 dB

P1dB - 压缩点：

26 dBm

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

1000

子类别：

晶体管

Tags

CG2H8, CG2H, CG2