MRF8S26120HSR3

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

900 mA

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

获得：

15.6 dB

输出功率：

28 W

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

NI-780S

打包：

卷轴

配置：

单身的

工作频率：

2.62 GHz to 2.69 GHz

系列：

MRF8S26120H

品牌：

恩智浦/飞思卡尔

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

10 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

单位重量：

0.168010 oz

Tags

MRF8S26120, MRF8S261, MRF8S26, MRF8S2, MRF8S, MRF8, MRF