APT75GP120B2G

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

T-Max-3

安装方式：

通孔

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1.2 kV

集电极-发射极饱和电压：

3.3 V

最大栅极发射极电压：

30 V

25 C 时的连续集电极电流：

100 A

Pd - 功耗：

1.042 kW

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

管子

连续集电极电流 Ic 最大值：

100 A

高度：

5.31 mm

长度：

21.46 mm

工作温度范围：

- 55 C to + 150 C

宽度：

16.26 mm

品牌：

微芯片/Microsemi

连续集电极电流：

100 A

栅极-发射极漏电流：

100 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

1

子类别：

IGBT

商品名：

POWER MOS 7 IGBT

Tags

APT75GP, APT75G, APT75, APT7, APT