FQT1N80TF-WS

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-223-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

800 V

Id - 连续漏极电流：

200 mA

Rds On - 漏源电阻：

20 Ohms

Vgs - 栅源电压：

30 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.1 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.8 mm

长度：

6.5 mm

系列：

FQT1N80

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

3.5 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

25 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

25 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

15 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

第 # 部分别名：

FQT1N80TF_WS

单位重量：

0.003951 oz

Tags

FQT1N80T, FQT1N8, FQT1N, FQT1, FQT