DGTD65T40S1PT

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

IGBT晶体管

技术：

硅

包装/案例：

TO-247-3

安装方式：

通孔

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

650 V

集电极-发射极饱和电压：

1.95 V

最大栅极发射极电压：

20 V

25 C 时的连续集电极电流：

80 A

Pd - 功耗：

341 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 175 C

打包：

管子

连续集电极电流 Ic 最大值：

80 A

品牌：

二极管公司

栅极-发射极漏电流：

100 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

450

子类别：

IGBT

单位重量：

0.197534 oz

Tags

DGTD6, DGTD, DGT