D2008UK

产品属性

属性值

制造商：

TT电子

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

2 A

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

获得：

13 dB

输出功率：

5 W

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-39-3

配置：

单身的

高度：

4.95 mm

长度：

9.4 mm

工作频率：

400 MHz

类型：

射频功率MOSFET

宽度：

9.4 mm

品牌：

Semelab / TT Electronics

Pd - 功耗：

29 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

20 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V to 7 V

Tags

D2008, D200, D20