FDI150N10

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-262-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

57 A

Rds On - 漏源电阻：

12 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

110 W

配置：

单身的

商品名：

动力战壕

打包：

管子

高度：

7.88 mm

长度：

10.29 mm

系列：

FDI150N10

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

功率沟槽 MOSFET

宽度：

4.83 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

156 S

秋季时间：

83 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

164 ns

出厂包装数量：

800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

86 ns

典型的开启延迟时间：

47 ns

单位重量：

0.073511 oz

Tags

FDI1, FDI