KSD526YTU

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

晶体管极性：

NPN

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

80 V

集电极-基极电压 VCBO：

80 V

发射极基极电压 VEBO：

5 V

集电极-发射极饱和电压：

0.45 V

最大直流集电极电流：

4 A

增益带宽积 fT：

8 MHz

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

KSD526

直流电流增益 hFE 最大值：

240

高度：

9.4 mm

长度：

10.1 mm

打包：

管子

宽度：

4.7 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

连续集电极电流：

4 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

40

Pd - 功耗：

30 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

1000

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

KSD526YTU_NL

单位重量：

0.063493 oz

Tags

KSD526, KSD52, KSD5, KSD