SPD30N03S2L10GBTMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

30 A

Rds On - 漏源电阻：

7.8 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

41.8 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

100 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

2.3 mm

长度：

6.5 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

6.22 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

23.8 S

秋季时间：

17 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

13 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

27 ns

典型的开启延迟时间：

6.1 ns

第 # 部分别名：

G SP000443918 SPD30N03S2L-10 SPD30N03S2L10GXT

单位重量：

0.139332 oz

Tags

SPD30N03S2L1, SPD30N03S2L, SPD30N03S, SPD30N03, SPD30N, SPD30, SPD3, SPD