KSB1116AGBU

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-92-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

- 60 V

集电极-基极电压 VCBO：

- 80 V

发射极基极电压 VEBO：

- 6 V

集电极-发射极饱和电压：

- 0.2 V

最大直流集电极电流：

1 A

增益带宽积 fT：

120 MHz

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

KSB1116A

直流电流增益 hFE 最大值：

400

高度：

5.33 mm

长度：

5.2 mm

打包：

大部分

宽度：

4.19 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

连续集电极电流：

- 1 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

135

Pd - 功耗：

750 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

1000

子类别：

晶体管

单位重量：

0.006286 oz

Tags

KSB1116A, KSB111, KSB11, KSB1, KSB