IPP65R190CFD

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

17.5 A

Rds On - 漏源电阻：

190 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

68 nC

Pd - 功耗：

151 W

配置：

单身的

商品名：

酷摩

打包：

管子

高度：

15.65 mm

长度：

10 mm

系列：

CoolMOS CFD2

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.4 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

6.4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8.4 ns

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

IPP65R190CFDXKSA1 IPP65R19CFDXK SP000881160

单位重量：

0.211644 oz

Tags

IPP65R190CF, IPP65R190C, IPP65R19, IPP65R1, IPP65, IPP6, IPP