IXTT6N120

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-268-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1.2 kV

Id - 连续漏极电流：

6 A

Rds On - 漏源电阻：

2.6 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

56 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

300 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

5.1 mm

长度：

14 mm

系列：

IXTT6N120

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

高压功率MOSFET

宽度：

16.05 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

3 S

秋季时间：

18 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

33 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

42 ns

典型的开启延迟时间：

28 ns

单位重量：

0.158733 oz

Tags

IXTT6, IXTT, IXT