NDD03N50Z-1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Id - 连续漏极电流：

2.6 A

Rds On - 漏源电阻：

3.3 Ohms

Vgs - 栅源电压：

30 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

58 W

配置：

单身的

打包：

管子

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

75

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.139332 oz

Tags

NDD03N5, NDD03, NDD0, NDD