EFC2J013NUZTDG

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

WLCSP-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vgs th - 栅源阈值电压：

400 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

37 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.8 W

配置：

双重的

频道模式：

消耗

打包：

卷轴

系列：

EFC2J013NUZ

晶体管类型：

双 N 沟道 MOSFET

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

73 us

产品类别：

MOSFET

上升时间：

26 us

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

130 us

典型的开启延迟时间：

11 us

Tags

EFC2J01, EFC2J, EFC2, EFC