FP25R12KT4_B15

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

IGBT 模块

RoHS：

Y

产品：

IGBT 硅模块

配置：

双模块

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1200 V

集电极-发射极饱和电压：

1.85 V

栅极-发射极漏电流：

100 nA

Pd - 功耗：

160 W

包装/案例：

模块

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

托盘

系列：

IGBT4

品牌：

英飞凌科技

安装方式：

贴片/贴片

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

10

子类别：

IGBT

商品名：

战壕

第 # 部分别名：

FP25R12KT4B15BOSA1 SP000808002

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