DMN61D8LVTQ-13

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSOT-26-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

630 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.1 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.3 V

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

740 pC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.09 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

高度：

1 mm

长度：

2.9 mm

系列：

DMN61

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

1.6 mm

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

80 mS

秋季时间：

440 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

301 ns

出厂包装数量：

10000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

582 ns

典型的开启延迟时间：

131 ns

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