SSM3J168F,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-346-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

400 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.3 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V, - 20 V

Qg - 门电荷：

3 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1200 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

SSM3J168F

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

31.7 ns

典型的开启延迟时间：

4.3 ns

单位重量：

0.004233 oz

Tags

SSM3J16, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM