BSG0811ND

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TISON-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

50 A

Rds On - 漏源电阻：

2.4 mOhms, 700 uOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

16 V

Qg - 门电荷：

8.4 nC, 29 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

6.25 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

1.15 mm

长度：

6 mm

系列：

OptiMOS 5

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

5 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

46 S, 90 S

秋季时间：

1.4 ns, 2.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4.7 ns, 4.3 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

4.3 ns, 8.8 ns

典型的开启延迟时间：

4.3 ns, 5.6 ns

第 # 部分别名：

BSG0811NDATMA1 SP001075902

单位重量：

0.008113 oz

Tags

BSG0811, BSG08, BSG0, BSG